Oberflächenbearbeitung transparenter Oberflächen mittels laserinduzierten Prozessen

Im Projekt werden zwei laserinduzierte Prozesse zur Mikrostrukturierung von transparenten Materialien, nämlich Laser-induced back side wet etching (LIBWE) und Laser-induced chemical liquid phase deposition LCLD im Detail untersucht.

Fiche signalétique

  • Département HESB | Technique et informatique
  • Pôle de recherche Technique de production
  • Champ de recherche Technologies appliquées laser, photonique et de surface
  • Organisme de financement OFROU
  • Durée 01.03.2011 - 31.01.2012
  • Direction du projet Patrick Schwaller
  • Équipe du projet Beat Neuenschwander
    Patrick Schwaller
    Sarah Zehnder
  • Partenaires - établissements de recherche, y c. BFH HESB | Technique et informatique
  • Partenaires - secteur public armasuisse w+t
  • Mots-clés Laser-induced back side wet-etching Laser-induced chemical liquid phase deposition

Contexte initial

- Formulierung eines Ablationsmodells für LIBWE mit Nanosekunden-Laserpulsen einer Wellenlänge von 1064nm und Cu-basierten Absorberflüssigkeiten - Untersuchung des Einflusses der Substratvorbehandlung - Bestimmen der Parameter für Cu-Deposition via einen LCLD Prozess mit Nanosekunden-Laserpulsen einer Wellenlänge von 532nm

But

Ziel des Projektes ist die Mikrobearbeitung via LIBWE und LCLD von transparenten Materialien mittels industrietauglichen Lasersystemen (Nanosekunden-Laserpulse) mit den Wellenlängen 532nm und 1064nm

Compétences clés

Verständnis von laserinduzierten Prozessen zur Mikrobearbeitung von transparenten Materialien und zur selektiven Deposition von Metallstrukturen auf transparenten Oberflächen

Résultat

Der Einfluss der Vorbehandlung der transparenten Substrate im LIBWE-Prozess wurde detailliert untersucht. Es konnte gezeigt werden, dass sich eine Silaniserung der Oberfläche stark auf den Ablationsprozess auswirkt. Mit demselben experimentellen Aufbau wie für die Ablations-Experimente (LIBWE) ist es uns auch gelungen, über einen LCLD-Prozess kristalline Cu-Strukturen zu deponieren. Diese haben einen Leitwert in derselben Grössenordnung wie bulk Cu und bleiben stabil.